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英飞凌igbt模块的使用注意事项

日期:2022-11-18 19:59
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摘要:
  
 
      由于英飞凌igbt模块为MOSFET结构(gou),IGBT的栅(zha)极通过一层氧化膜与发(fa)射极实现电隔(ge)离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致(zhi)栅(zha)极击穿是IGBT失效的常见原因之一。 因此使用中要注意(yi)以下几点:
      1. 在使用模(mo)(mo)块时(shi)(shi),尽(jin)量不要(yao)用手触(chu)摸(mo)驱(qu)动端子部(bu)分,当必须要(yao)触(chu)摸(mo)模(mo)(mo)块端子时(shi)(shi),要(yao)先将人体或(huo)衣服(fu)上的静电(dian)用大(da)电(dian)阻接地进行放电(dian)后,再触(chu)摸(mo);
      2. 在用(yong)导电(dian)材料(liao)连接(jie)模块驱动端子时(shi),在配线(xian)未接(jie)好之前(qian)请(qing)先(xian)不(bu)要接(jie)上模块;
      3. 尽量(liang)在底板良好接地的情况下操作(zuo)。
      在(zai)应用(yong)中(zhong)有时虽(sui)然保(bao)证了栅(zha)(zha)极(ji)(ji)驱(qu)动电(dian)压没(mei)有超过栅(zha)(zha)极(ji)(ji)大额(e)定电(dian)压,但栅(zha)(zha)极(ji)(ji)连线(xian)的(de)寄(ji)生(sheng)电(dian)感和栅(zha)(zha)极(ji)(ji)与集(ji)电(dian)极(ji)(ji)间的(de)电(dian)容耦合,也会产生(sheng)使氧化层损坏的(de)振荡电(dian)压。为此,通常(chang)采用(yong)双(shuang)绞线(xian)来传送(song)驱(qu)动信号,以(yi)减(jian)少寄(ji)生(sheng)电(dian)感。在(zai)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)连线(xian)中(zhong)串联小电(dian)阻(zu)也可以(yi)抑制振荡电(dian)压。
      此(ci)外,在(zai)栅极(ji)(ji)—发射极(ji)(ji)间开路(lu)时,若在(zai)集电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)与发射极(ji)(ji)间加(jia)上电(dian)(dian)(dian)压,则(ze)(ze)随着集电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)位的变化,由于集电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)有(you)(you)漏电(dian)(dian)(dian)流流过(guo),栅极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)位升高,集电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)则(ze)(ze)有(you)(you)电(dian)(dian)(dian)流流过(guo)。这时,如(ru)果集电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)与发射极(ji)(ji)间存在(zai)高电(dian)(dian)(dian)压,则(ze)(ze)有(you)(you)可(ke)能使IGBT发热(re)及至损坏。
      在使用(yong)IGBT的(de)场合,当(dang)栅(zha)极回(hui)路不正常(chang)或栅(zha)极回(hui)路损(sun)坏(huai)(huai)时(栅(zha)极处于开路状态(tai)),若在主(zhu)回(hui)路上(shang)加上(shang)电(dian)压(ya),则(ze)IGBT就(jiu)会损(sun)坏(huai)(huai),为防止此类故障,应在栅(zha)极与发射极之间(jian)串接一只(zhi)10KΩ左右的(de)电(dian)阻。




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