J9九游会AG

产品目录 PRODUCT
新闻详情(qing)

西门康IGBT模块的使用说明

日期:2022-11-18 19:55
浏览次数:31
摘要:
  
       由于(yu)西门康igbt模块为(wei)MOSFET结构,IGBT的(de)栅极(ji)(ji)通过(guo)一层氧化(hua)膜(mo)与发射极(ji)(ji)实现电隔(ge)离。由于此(ci)氧化(hua)膜(mo)很薄,其击(ji)穿电压一般达(da)到20~30V。因(yin)此(ci)因(yin)静电而导致栅极(ji)(ji)击(ji)穿是IGBT失效的(de)常见原因(yin)之一。 因(yin)此(ci)使用(yong)中要注(zhu)意(yi)以下几(ji)点(dian):
       1. 在使用模块时(shi),尽量不要用手触摸(mo)驱(qu)动端(duan)子部分,当必须要触摸(mo)模块端(duan)子时(shi),要先将人体或(huo)衣(yi)服(fu)上的(de)静(jing)电用大电阻接地进(jin)行放电后,再触摸(mo);
       2. 在用导电材料连(lian)接(jie)模块(kuai)驱(qu)动(dong)端子时,在配线未接(jie)好(hao)之(zhi)前(qian)请(qing)先不(bu)要接(jie)上模块(kuai);
       3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
       在(zai)应用(yong)中有时(shi)虽然保证了栅(zha)(zha)极(ji)驱动电压没(mei)有超过栅(zha)(zha)极(ji)大(da)额定电压,但栅(zha)(zha)极(ji)连线的(de)寄生电感和栅(zha)(zha)极(ji)与集电极(ji)间的(de)电容耦(ou)合,也会产生使(shi)氧化层(ceng)损(sun)坏的(de)振(zhen)荡电压。为此(ci),通常采用(yong)双绞线来传(chuan)送驱动信(xin)号,以(yi)减少(shao)寄生电感。在(zai)栅(zha)(zha)极(ji)连线中串联小电阻也可以(yi)抑制振(zhen)荡电压。
       此外,在栅极(ji)—发(fa)射(she)(she)(she)极(ji)间开路时(shi),若在集(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)与发(fa)射(she)(she)(she)极(ji)间加上电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压,则随着集(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)位的变化,由于集(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)有漏电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流流过,栅极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)位升高,集(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)则有电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流流过。这时(shi),如果集(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)与发(fa)射(she)(she)(she)极(ji)间存在高电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压,则有可能(neng)使IGBT发(fa)热及至损坏。
       在(zai)(zai)使用IGBT的(de)场合,当(dang)栅(zha)(zha)极(ji)回路(lu)(lu)不正(zheng)常(chang)或栅(zha)(zha)极(ji)回路(lu)(lu)损(sun)坏时(栅(zha)(zha)极(ji)处于开路(lu)(lu)状态),若在(zai)(zai)主回路(lu)(lu)上(shang)加上(shang)电压(ya),则IGBT就会损(sun)坏,为防止此类故障,应在(zai)(zai)栅(zha)(zha)极(ji)与发射极(ji)之(zhi)间串接一只(zhi)10KΩ左右(you)的(de)电阻。
       在(zai)安装(zhuang)(zhuang)或更换IGBT模(mo)(mo)(mo)块时,应(ying)十分(fen)重视IGBT模(mo)(mo)(mo)块与散(san)热(re)片(pian)的接触面状态和拧紧程度(du)。为了减少接触热(re)阻(zu),*好在(zai)散(san)热(re)器(qi)与IGBT模(mo)(mo)(mo)块间涂抹导热(re)硅脂(zhi)。一般散(san)热(re)片(pian)底部安装(zhuang)(zhuang)有(you)散(san)热(re)风扇(shan),当(dang)散(san)热(re)风扇(shan)损坏中散(san)热(re)片(pian)散(san)热(re)不佳时将导致IGBT模(mo)(mo)(mo)块发热(re),而发生故障。因此对散(san)热(re)风扇(shan)应(ying)定期进行检查,一般在(zai)散(san)热(re)片(pian)上(shang)靠近(jin)IGBT模(mo)(mo)(mo)块的地(di)方安装(zhuang)(zhuang)有(you)温度(du)感应(ying)器(qi),当(dang)温度(du)过(guo)高时将报警或停(ting)止IGBT模(mo)(mo)(mo)块工(gong)作(zuo)。
       1. 一(yi)般(ban)保(bao)存(cun)IGBT模块的(de)场所,应保(bao)持常温常湿(shi)(shi)状态(tai),不应偏(pian)离太大。常温的(de)规(gui)定为(wei)5~35℃ ,常湿(shi)(shi)的(de)规(gui)定在(zai)45~75%左右。在(zai)冬天特别干(gan)燥(zao)的(de)地区,需用(yong)加湿(shi)(shi)机加湿(shi)(shi);
       2. 尽量远(yuan)离有腐(fu)蚀性气体(ti)或(huo)灰尘较(jiao)多的场合;
       3. 在(zai)温度(du)发(fa)生急剧变(bian)化的场所(suo)IGBT模块表面(mian)可能有结露水的现象,因(yin)此(ci)IGBT模块应放(fang)在(zai)温度(du)变(bian)化较小的地方;
       4. 保(bao)管时,须(xu)注意不要在IGBT模块(kuai)上堆(dui)放重物;
       5. 装IGBT模块的容器,应选用(yong)不带静电的容器。
       6. 检测IGBT模块的的办法。




尊(zun)敬的客户:    
      您好,我司是一支技(ji)术(shu)力量雄厚的(de)高素质的(de)开(kai)发群体(ti),为广(guang)大用(yong)户(hu)提供高品质产品、完整(zheng)的(de)解决方案(an)和优异(yi)技(ji)术(shu)服务公司。主(zhu)要(yao)产品有西门康大(da)功率模块英飞凌(ling)IGB西门康(kang)skiip智(zhi)能模(mo)块等。本企(qi)业(ye)坚持以诚信立业(ye)、以品(pin)(pin)质守(shou)业(ye)、以进取兴业(ye)的宗旨,以更坚定的步伐不断(duan)攀(pan)登新(xin)(xin)的高峰,为民族自动化行业(ye)作出贡(gong)献,欢迎新(xin)(xin)老顾(gu)客放心选购自己心仪的产品(pin)(pin)。J9九游会AG 将竭诚为您服务!