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英飞凌(ling),三菱,富士,东芝,三社,西(xi)(xi)门子,西(xi)(xi)门康,IXYS,可控硅(gui),eupec,等(deng)功(gong)率模块

北京(jing)J9九游会AG兴业(ye)科技(ji)有限(xian)公(gong)司(si)

北京J9九游会AG兴(xing)业(ye)科技有限公司(si)凭借15年(nian)的(de)电力电子元器(qi)件从业(ye)经验(yan),不懈的(de)开拓精神(shen)及(ji)良好的(de)商业(ye)信(xin)誉,公司(si)专业(ye)代理德国,欧(ou)洲,美国,日本等品牌功率器(qi)件IGBT模块(kuai)英飞凌(ling)infineon,欧(ou)派克EUPEC,西门(men)(men)康SEMIKRON,西门(men)(men)子SIEMENS,三(san)(san)凌(ling)MITSUBISHI,富士FUJI,东(dong)芝TOSHIBA,艾赛斯IXYS,西玛WESTCODE,丹尼克斯DYNEX, ABB ,西班牙CATELEC,三(san)(san)社(she),三(san)(san)垦,摩(mo)托(tuo)罗拉,英达(da),日立,仙童,IR, POWERSEM,PRX,POWER,TYCO等公司(si)生产的(de)

IGBT,TGCT,IPM, PIM , GTR, GTO,可控硅快恢复二级管整(zheng)流桥;日之出(chu)HINODE、罗(luo)兰(lan)FERRAZ、巴斯曼(man)BUSSMANN,进口快速熔断器美国CDE吸收高频无感电容,电解(jie)电容,IGBT驱动电路,变频器主板,驱动板,电源板等自(zi)动化产(chan)品。

公(gong)司(si)经(jing)营的(de)电力功率模块,主要用(yong)于航天航空,石油石化冶金制造(zao)、矿山设备(bei)、电镀电源(yuan)、轨道交通、国(guo)防军用(yong),医疗器...

  • 英飞凌igbt模块的使用注意事项 由于英飞凌(ling)igbt模块为MOSFET结构(gou),IGBT的栅(zha)极通过一层氧化膜(mo)与发射极实(shi)现(xian)电隔(ge)离。由于此氧化膜(mo)很薄(bo),其击(ji)穿电压一般(ban)达到(dao)20~30V。因此因静电而导致栅(zha)极击(ji)穿是(shi)IGBT失(shi)效...
  • 西门康IGBT模块的使用说明 由于西门康IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅(zha)极(ji)(ji)通过一层氧(yang)化(hua)膜与发射(she)极(ji)(ji)实现电隔离(li)。由于此(ci)氧(yang)化(hua)膜很薄,其击穿电压(ya)一般达到20~30V。因此(ci)因静电而导(dao)致栅(zha)极(ji)(ji)击穿是IGBT失效(xiao)的...
  • 三菱igbt的保护事项 众所周知,三菱igbt是(shi)一种用(yong)MOS来控制(zhi)晶体管(guan)的新(xin)型电(dian)(dian)力电(dian)(dian)子器(qi)件,具有电(dian)(dian)压高、电(dian)(dian)流大、频率高、导通电(dian)(dian)阻小等特点,被(bei)广泛(fan)应用(yong)在变频器(qi)的逆变电(dian)(dian)路中。但(dan)由(you)于(yu)IGBT的耐(nai)过流能力与(yu)耐(nai)过压能力...
  • 安装或更换igbt模块的注意事项 在安(an)装或(huo)更换(huan)IGBT模块(kuai)时,应十分重视IGBT模块(kuai)与(yu)散(san)热片的接触(chu)(chu)面状态和拧紧(jin)程度。为(wei)了减少接触(chu)(chu)热阻,在散(san)热器(qi)与(yu)IGBT模块(kuai)间涂抹导热硅(gui)脂。一般散(san)热片底(di)部安(an)装有(you)散(san)热风(feng)扇,当散(san)热风(feng)扇损(sun)坏中散(san)热片散(san)...
  • 英飞凌模块的主要特点 英飞凌模(mo)块它利用(yong)器(qi)件相(xiang)互连接,使(shi)数(shu)(shu)据传递,转换和采集的双重作用(yong)进(jin)行(xing)高度集成的整合。高、中、低(di)能(neng)耗低(di)功耗是(shi)双向(xiang)数(shu)(shu)字(zi)量高压驱动单元的主要特点。 剪辑器(qi)和字(zi)幕是(shi)传统的单声道(dao)(dao)及带辅(fu)助(zhu)声道(dao)(dao)的机器(qi)...
  • 保管igbt模块的注意事项 IGBT模(mo)块的电(dian)(dian)压规格(ge)与所使用装置(zhi)的输入电(dian)(dian)源即试电(dian)(dian)电(dian)(dian)源电(dian)(dian)压紧(jin)密相关。其相互关系(xi)见下表(biao)。使用中当IGBT模(mo)块集电(dian)(dian)极电(dian)(dian)流增大(da)时,所产生的额定损耗(hao)亦变(bian)大(da)。同(tong)时,开(kai)关损耗(hao)增大(da),使原件发热加剧,因此,...
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